اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی
Authors
Abstract:
In this paper, the electronic transport of a graphene nanoribbon including a bond defect as well as a polyacetylene nanowire, including an extra bond, has been studied based on Green's function technique at the tight-binding approach. The results show that the behavior of electronic conductance is different in resonance and nonresonance cases with respect to variation of bond defect position. The conductance value at the zero energy tunes by variation of defect position, only for the cases which includes double bonds. These changes is more observable especially at the polyacetylene nanowires. The amount of antiresonance shift with respect to bond defect position, in conductance spectrum, strongly depends on type and shape of center wire structure.
similar resources
تاثیر میدان مغناطیسی بر روی رسانش الکتریکی در نانوساختارهای حلقوی
هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...
15 صفحه اولبررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانهای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیرهی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل میشود، بررسی میشود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیکترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادیهای چپ و راست و دیگری آنچه بین هادیهای چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آنها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
full textرسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...
full textرسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...
full textرسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...
full textMy Resources
Journal title
volume 16 issue 2
pages 225- 230
publication date 2016-09
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023